本裝置由我公司和中國科學院材料物理重點實驗室聯合研制，由溫度控制系統、真空系統和單晶爐爐體等部分組成。

主要實驗內容

1、制備金屬氧化物類單晶，如 SrMoO3 等；

2、制備氧化物高溫超導體，如釔鋇銅氧等；

3、制備非氧化物單晶，如單晶硅、單晶碳化硅等；

4、在 1550℃以下大氣、真空或氣氛保護下進行單晶生長、材料熱處理、固相反應材料合成等。

主要技術特點

1、一機多用，可開設多個綜合性、研究性實驗：既可制備氧化物類單晶，又可制備非氧化物類或厭氧類單晶，具有很高的性能價格比；

2、采用特殊的做爐膛保溫材料，具有密度小，保溫性能好等特點；

3、采用抽真空結合保護氣氛，既可以抽真空，又可以通入不同的氣體；

4、溫度采用程序控制，實現智能化，最高溫度可達：1550℃；溫度梯度：約 5℃ /cm。

主要技術參數

1、電源 AC 220V50/60Hz；額定功率：5kW；

2、爐膛尺寸：Φ185mm×185mm；加熱區(qū)尺寸：150mm；

3、溫度控制范圍：100 ～ 1600℃，控制精度 :±1℃，升溫速率：10℃ /min；

4、報警保護：上、下限，正、負偏差 , 斷偶等報警；

5、進氣系統：一路質量流量控制器。